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Kingston KVR16LS11/8WP DDR3L 8GB 1600MHz SODIMM

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Kingston KVR16LS11/8WP DDR3L 8GB 1600MHz SODIMM

DESCRIPCIÓN Este documento describe ValueRAM de 1G x 64 bits (8GB) DDR3L-1600 CL11 SDRAM (DRAM síncrona), 2Rx8, bajo voltaje, módulo de memoria, basado en dieciséis FBGA de 512M x 8 bits componentes El SPD está programado según el estándar JEDEC latencia DDR3-1600 temporización de 11-11-11 a 1,35 V o 1,5 V. Este SODIMM de 204 pines utiliza dedos de contacto dorados. El eléctrico y Las especificaciones mecánicas son las siguientes:

  • CL(IDD) 11 ciclos
  • Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) 48.125ns (min.)
  • Actualizar a Activo/Actualizar 260ns (min.)
  • Tiempo de comando (tRFCmin)
  • Tiempo activo de fila (tRASmin) 35 ns (min.)
  • Clasificación UL 94 V – 0 Temperatura de funcionamiento 0o C a 85o C
  • Temperatura de almacenamiento -55o C a +100o C
Aspectos Fundamentales:
  • Formato: SODIMM
  • Módulos De Memoria: 1 X 8 GB
  • Tecnología De La Memoria: DDR3L
  • Modelo: KVR16LS11/8WP
  • Velocidad: 1600 MHz
  • Capacidad Total: 8 GB
  • Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,35 V y 1,5 V
  • VDDQ = 1,35 V y 1,5 V
  • fCK de 800 MHz para 1600 Mb/seg/pin
  • 8 banco interno independiente
  • Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5
  • Latencia aditiva programable: 0, CL – 2 o CL – 1 reloj
  • Búsqueda previa de 8 bits
  • Longitud de ráfaga: 8 (Intercalado sin límite, secuencial con dirección inicial “000” solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite leer o escribir sin interrupciones [ya sea sobre la marcha usando A12 o SRA]
  • Luz estroboscópica bidireccional de datos diferenciales
  • Calibración interna (auto) : Auto calibración interna a través de ZQ pin (RZQ: 240 ohmios ± 1%)
  • Terminación en matriz usando pin ODT
  • Período de actualización promedio 7.8us a menos de TCASE 85°C, 3.9us a 85°C < TCASE < 95°C
  • Restablecimiento asíncrono • PCB: Altura 1,18” (30 mm), componente de doble cara

 

SKU: KVR16LS11/8WP Categoría:

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